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三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所 | 論文
- 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 無線通信用カレントミラー型GaAs HBT RF検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- GaAs方向性結合器付き検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 基本波および高調波終端負荷を最適化した低位相雑音77GHz MMIC VCO(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 短距離通信用40Gbpsトランスポンダー(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- C-2-6 高調波負荷整合回路付きW帯2倍波取り出し型発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 高調波負荷を最適化したW帯2倍波高出力発振器
- C-10-22 10Gbit/sフリップフロップ内蔵分布型EA変調器駆動IC
- AlGaAs/InGaAs HEMTを用いた10Gb/s EA変調器ドライバIC
- 低温焼成セラミックスを用いたKa帯マルチチップモジュールパッケージの開発
- VIAホールで遮へいされた多層基板内部における導波管モード遮断周波数の検討
- 未使用線路を抵抗終端したKu帯可変遅延線路(マイクロ波電力応用/一般)
- 未使用線路を抵抗終端したKu帯可変遅延線路
- C-2-47 多層高周波回路基板におけるマイクロストリップ線路/トリプレート線路間層間接続構造
- C-2-23 共振抑圧機能を有するK帯4bit可変遅延線路
- C-10-1 受動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 能動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-17 GaAs基板上に作製したカプラ付きHBT RF検波回路の基本検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-16 増幅段バイパス型利得切替HBT増幅器に関する検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 2.5/3.5GHz帯InGaP HBT電力増幅器モジュール(C-10.電子デバイス,一般講演)