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三菱電機株式会社高周波デバイス製作所 | 論文
- C-4-28 3次元電磁界解析による10Gbpsφ3.8mmCAN-LDの高周波応答シミュレーション(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- 表面実装型プリアンプ内蔵PDモジュール
- CS-6-3 アンクールドAlGaInAs系レーザの進展(CS-6.情報通信分野における省エネルギー光デバイスの現状と将来,シンポジウムセッション)
- 100Gbpsイーサネット光送信用4波長25.8Gbps直接変調DFB-LD (特集 高周波・光デバイス)
- 低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-18 RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高輝度LDの開発
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ (マイクロ波・ミリ波フォトニクス)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ (エレクトロニクスシミュレーション)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ (レーザ・量子エレクトロニクス)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ (フォトニックネットワーク)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ (光エレクトロニクス)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
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- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ
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