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三菱電機株式会社先端技術総合研究所 | 論文
- ED2000-133 / SDM2000-115 / ICD2000-69 サブ0.1 μm CMOS技術 : エレベイテッドソース・ドレイン技術を中心に
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- 赤外線センサ用真空パッケージング技術
- ショットキー型赤外線センサ
- 短距離通信用40Gbpsトランスポンダー(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
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- C-2-76 900MHz帯パワーアンプ向けオンチップトランスの特性比較(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-25 Depletion-layer-Extended Transistor(DET)適用40.8dBm IIP_3, 5GHz送受信切替CMOSスイッチ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- 耐電力21.5dBm・5GHz送受信切替CMOSスイッチ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- C-2-33 CMOSプロセスによるスパイラルインダクタの特性
- グローバル時代における研究開発のあり方と応用物理教育
- 我が国の将来を拓くR&D戦略
- ニューラルネットワークを利用した病理診断支援システム (「非線形信号処理」特集号)
- 並列処理ニューロシステムにおけるプロファイリング機能の実現
- ニューロデバイスの実用化への道(ものを作るこころ(第9回))
- 人工網膜チップによる画像処理
- 人工網膜チップと画像処理への応用
- NEURO4システムの高速化の検討と評価
- 人工網膜LSI