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三菱電機株式会社先端技術総合研究所 | 論文
- 内部拡散法によるNb_3Snフィラメントのブリッジング生成機構の解明
- 30p-S-11 HeプラズマとH_2ガスの接触で生じるHeIの異常電子分布
- 6a-K-12 中性ガスにより急冷された再結合プラズマにおける反転分布
- 6p-F6-13 TPD-Iプラズマにおける, パルスガス導入による反転分布生成
- 28a-Y1-8 相対論的電子ビームによる気体の電離・励起過程
- 28a-Y1-2 TPD-Iプラズマにおけるパルス高圧ガス導入による反転分布生成
- 5a-TB-6 235nm-245nmレーザ光で励起されたNaからの発光
- 4a-N-5 REB励起による希ガス原子線のASE
- 高周波CMOSデバイスモデリング技術 (特集 光・高周波デバイス)
- 5GHz帯整合回路一体形CMOS MMICフロントエンド
- C-2-8 5GHz 帯整合回路一体形 CMOS MMIC フロントエンド
- C-2-6 挿入損失 0.8dB、耐電力 17.4dBm、5GHz 帯送受信切替 CMOS スイッチ
- 耐電力21.5dBm・5GHz送受信切替CMOSスイッチ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- C-2-27 5GHz 帯整合回路一体形カスコード CMOS 高出力増幅器
- C-2-25 5.2GHz 帯整合回路一体形 CMOS 低雑音増幅器
- CMOSプロセスによる高周波デバイス技術 (特集 IT社会に貢献する半導体)
- C-2-19 シリコン MOS 型素子の高周波用等価回路モデルの検討
- 化成処理したシリコンにタングステンをコートしたフィールドエミッタアレイのエミッション電流とその安定性
- 溶液気化CVD法によるDRAM用高誘電率キャパシタ膜形成技術の開発
- D-11-71 密着イメージセンサのつなぎ目における網点画像の補間方法(D-11.画像工学B)