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三菱電機(株) 高周波光デバイス製作所 | 論文
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD
- DPAのリークモデル構築と論理シミュレーションによる評価
- データマスクを利用したDPA対策に対する攻撃
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- 高RF出力PDモジュール (特集 高周波・光デバイス)
- 高効率ファイバ結合型半導体レーザー
- 低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 10G-EPON用APDの開発(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
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- BI-1-2 サイドチャネル攻撃と最近の研究動向(BI-1.安全・安心な情報通信会社を実現する電磁情報セキュリティ評価・対策技術,依頼シンポジウム,ソサエティ企画)
- 8.2 セキュリティLSIに対するタンパリングの手法(第8章:セキュリティ,ディペンダブルVLSIシステム)
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