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三菱電機(株)高周波光デバイス製作所 | 論文
- 20Gbps伝送用変調器集積型DFB-LD
- 電気的アイソレーション向上による変調器付きDFB-LDの帯域改善
- 利得結合DFBレーザの2.5Gb/s,100km伝送特性
- ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- C-4-13 80℃動作43Gbit/s PD-TIAモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-16 ファイバアンプ(PDFA)励起用1020nm高出力半導体レーザ
- 0.98μm帯リッジ型窓構造高出力半導体レーザ
- B1u-ray記録用高出力青紫色半導体レーザ (特集 高周波・光デバイス)
- 高効率・高出力GaN系405nmレーザー
- 高効率・高出力青紫色半導体レーザ (特集 光・高周波デバイス)
- GaAs-FETゲート部に対するUV&オゾン酸化と追加ECRプラズマ窒化の効果(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-4-20 40Gbps DQPSK光通信用表面入射型ツインPD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 負帰還回路を用いた経路切替形利得切替増幅器
- C-4-18 10G-EPON用L帯高出力EA変調器集積DFB-LD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-22 100Gbpsイーサネット光受信モジュール用4ch-WDM光学系の開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 シリアル40Gbpsイーサネット用1.3μm EML TOSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 全MOCVD成長による1.48μm帯高出力レーザの信頼性
- 高ファイバ内光出力0.98μm半導体レーザ
- C-2-30 ドレーンドライブ型送受切り替え方式の受信時損失低減の検討