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三洋電機株式会社 フロンティアデバイス研究所 | 論文
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- 30p-Z-4 GaAs-AlGaAs[111]方向量子井戸の光電流スペクトル
- 31a-TF-2 GaAsMBE成長におけるGa原子の表面拡張
- L帯小型・超低雑音MMIC増幅器
- Sパラメータを用いた線形GaAs増幅器の新設計法
- 記録型次世代DVD用高出力青紫色レーザ
- 光ディスク用高出力青紫色半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- GaN基板上に成長した高出力青紫色半導体レーザ(光記録・一般)
- 28p-C-14 (110)量子井戸の偏光特性から見積ったLuttinger parameterの異方性
- 28p-W-9 (110)量子井戸の準位反交差に伴う面内光学異方性の異常