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ユニオンマテリアル | 論文
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- Fe-Si系半導体の作製と評価
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- 27p-D-18 原子間電子遷移発光の実験的証明 : 室温におけるCsハライド、RbFの2.5-6.2eV発光機構
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- 18aPS-13 NaGdF_4における励起エネルギー移動
- 31p-B2-8 Cs-ハライド,RbFなどのAuger-Free発光とその発光減衰時間測定(イオン結晶・光物性(SOR VUV))
- 7pPSA-22 NaGdF4における励起エネルギー移動III(領域5)
- 31a-N-12 インジウム含有低エネルギーニュートリノの検出器の開発(31a N 素粒子実験(測定器開発),素粒子実験)
- 26pPSA-20 NaGdF_4における励起エネルギー移動II(26pPSA,領域5(光物性分野))