真空紫外光励起高効率UV発光蛍光体
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
We have developed ultraviolet(UV)phosphors of a new type that is suitable for excitation by the vacuum ultraviolet(VUV)light generated by Xe discharge. The phosphors contain gadolinium(Gd)and praseodymium(Pr)in yttrium fluoride(YF_3). The YF_3:Gd, Pr phosphor exhibits a strong emission line at 311 nm, and a weak emission band around 407 nm. The photoemission intensity of the 311-nm line is about 10 times as strong as for conventional UV phosphors. These emissions are effectively stimulated under excitation in the range from 150 to 200 nm, which corresponds to the f-d transition in Pr^<3+> ions. These results suggest that the strong emission of UV is due to a highly efficient transfer of energy from Pr^<3+> to Gd^<3+> ions. The process of energy transfer between these ions is discussed in terms of the experimental results of this and other studies.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2001-04-20
著者
-
吉田 尚史
NECライティング
-
皆本 真樹
Necライティング株式会社
-
吉田 尚史
Necライティング株式会社
-
林 正人
日本電気株式会社 カラーpdp事業部
-
平井 豪
ユニオンマテリアル株式会社
-
桜木 史郎
ユニオンマテリアル株式会社
-
平井 豪
ユニオンマテリアル(株)
-
桜木 史郎
ユニオンマテリアル(株)
-
桜木 史郎
ユニオンマテリアル
関連論文
- 近紫外励起用赤色蛍光体CuAlS_2:Mn,Siにおける母体の混晶化による励起特性の改善(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 近紫外励起用赤色蛍光体CuAlS2:Mn,Siにおける母体の混晶化による励起特性の改善 (電子ディスプレイ)
- 28a-W-18 CsF_1-XCl_X(X=0-0.03)混晶系におけるオージェ・フリー発光
- 7p-H-7 斜方晶SnBr_2の吸収端スペクトル
- 31a-YE-1 SnI_2の吸収端スペクトルと励起子緩和
- SnI_2の吸収端スペクトルIII
- 31a-Y-6 SnI_2の吸収端スペクトルII
- 29a-YQ-1 SnI_2の吸収端スペクトル
- 24aM-12 斜方晶SnBr_2の緩和励起子II
- PDP蛍光体のSOR光による真空紫外励起スペクトルの検討
- 28.蛍光ランプ用Tb^付活短残光性緑色蛍光体((2)光源・回路・放電現象(II) : HIDランプ関係、その他)
- 2.蛍光ランプでの窒素放電利用の探索((1)光源・回路・放電現象(I) : 電球・蛍光ランプ関係)
- 13. リチウムボレート系赤色蛍光体の発光特性
- 9. 大画面液晶ディスプレイ用冷陰極蛍光ランプ
- 14.Gd付活ホウ酸蛍光体を用いた高効率紫外蛍光ランプの開発((1)光源・回路・放電現象(I) : 電球・蛍光ランプ関係)
- 8.Eu付活珪酸塩蛍光体における蛍光ランプ用青色蛍光体の可能性((1)光源・回路・放電現象(I) : 電球・蛍光ランプ関係)
- 真空紫外光励起高効率UV発光蛍光体
- 解説 高効率螢光体を用いた紫外蛍光ランプについて--Xeエキシマ放電を励起源に用いた環境に優しい紫外発光デバイスをめざして
- Xe(172nm)励起高効率UV発光蛍光体
- 8p-L-1 純粋C_SIシンチレータの発光特性
- 29p-E-20 CsIの室温での発光特性
- レーザーアブレーション法によるβ-FeSi_2薄膜の作製と評価
- 近紫外励起用赤色蛍光体CuAlS_2:Mn,Siにおける母体の混晶化による励起特性の改善(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 31a-Z-3 オージェ・フリー発光のスペクトル形状の温度変化
- PDP蛍光体のSOR光による真空紫外励起スペクトルの検討
- Xe(172nm)励起高効率UV発光蛍光体
- PDP蛍光体のSOR光による真空紫外励起スペクトルの検討
- Xe(172nm)励起高効率UV発光蛍光体
- 近紫外励起用赤色蛍光体CuAlS_2:Mn, Siにおける母体の混晶化による励起特性の改善
- 2.5 蛍光体(第2章 光関連材料・デバイス)
- 2.5 蛍光体(第2章 光関連材料・デバイス)
- 6p-C3-10 CsCl-CsBr,CCl-CsI混晶系からのAuger-free発光
- 27p-D-18 原子間電子遷移発光の実験的証明 : 室温におけるCsハライド、RbFの2.5-6.2eV発光機構
- 27p-D-2 価電子帯電子のアルカリ金属最外殻コアーへの原子間電子遷移発光:Cs-ハライド、RbFの発光
- 30pPSA-30 NaGdF_4 における励起エネルギー移動 IV
- 18aPS-13 NaGdF_4における励起エネルギー移動
- 27p-YM-9 カソードルミネッセンス測定におけるAFL強度の加速電圧依存性
- 28a-Z-12 CsCl:Iの局在緩和励起子
- 半導体技術-50年目の曲がり角-ロードマップに見え隠れする足並みの乱れ-
- 容器成長法の基本技術 : 材料融液と容器との適合性(バルク結晶の成長(I))
- 31p-B2-8 Cs-ハライド,RbFなどのAuger-Free発光とその発光減衰時間測定(イオン結晶・光物性(SOR VUV))
- 7pPSA-22 NaGdF4における励起エネルギー移動III(領域5)
- 31a-N-12 インジウム含有低エネルギーニュートリノの検出器の開発(31a N 素粒子実験(測定器開発),素粒子実験)
- 26pPSA-20 NaGdF_4における励起エネルギー移動II(26pPSA,領域5(光物性分野))