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フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:(株)富士通研究所 | 論文
- 半導体量子ドットを用いた単一光子発生技術の展開
- カスケード接続リング共振器を用いたスローライトSi変調器 (光エレクトロニクス)
- C-3-56 スローライト型Si変調器の1nmの波長範囲での1V_10Gb/s動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-55 側面格子型Si光変調器の10GHz変調動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CK-1-6 量子ドットを用いた単一光子発生素子の展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- CK-1-6 量子ドットを用いた単一光子発生素子の展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- カスケード接続リング共振器を用いたスローライトSi変調器(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-53 光源・光変調器・受光器を単一シリコン基板上に集積した光電子融合システム(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-3-3 高密度光配線用シリコン光集積回路(CI-3.通信システム・光配線システム応用にむけた高密度集積フォトニックプラットフォーム,依頼シンポジウム)
- 温調フリー光送信器の実現に向けたシリコン細線外部共振器レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-3-40 側面格子型Si光変調器の等価回路解析(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-66 単一シリコン基板上にレーザ・光分岐器・光変調器・受光器を集積したシリコン光インターポーザの12.5Gbps動作実証(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-1 50Gbps動作pin型シリコン変調器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-18 全ての光コンポーネントを単一シリコン基板上に集積したシリコン光インターポーザの30Tbps/cm2動作実証(シリコンフォトニクス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 側面格子導波路を有するPIN型シリコン変調器の高速・高効率動作の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 側面格子導波路を有するPIN型シリコン変調器の高速・高効率動作の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 側面格子導波路を有するPIN型シリコン変調器の高速・高効率動作の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 側面格子導波路を有するPIN型シリコン変調器の高速・高効率動作の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
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