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トヨタ自動車（株） | 論文
- フローティングP型パワーMOSFET（FITMOS）のAC動作時のオン抵抗改善
- ハイブリッド車用パワー半導体の宇宙線耐量
- フローティングP型パワーMOSFET(FITMOS)のAC動作時のオン抵抗改善
- フローティングアイランドと厚い酸化膜をトレンチ底部に備えた超低抵抗トレンチゲートMOSFET(FITMOS) : 優れた内蔵ダイオードを有する60V耐圧超低抵抗MOSFET
- p-/n+バッファ層構造のIGBTの検討
- ハイブリッド自動車用600V 200A低損失高電流密度トレンチIGBT
- IGBTのスイッチング損失と素子容量の関連解析
- ハイブリッド車用パワー半導体の宇宙線耐量
- 電気が進化させる自動車技術
- 温度特性に優れた電流センスパワーMOSFET
- AC動作時のオン抵抗, 耐圧とオン抵抗のトレードオフを改善したフローティングP型パワーMOSFET(FITMOS)の開発
- ハイブリッド自動車インバータ用パワーエレクトロニクス回路シミュレーションの開発
- 1.5GHz帯MMIC低雑音増幅器
- これからの自動車用半導体
- 自動車用センサの現状と展望
- CNx膜の硬さに及ぼす成膜時基板温度・窒素イオンビーム加速電圧・成膜速度の影響
- ハイブリッド車用IGBTの宇宙線耐量
- 低貫通欠陥密度SiC基板を用いた4H-SiC JBSダイオードのリーク電流解析
- サスペンション部品の非線形座屈現象に関する形状最適化の検討
- マグネシウム合金の変形における延性増加の検討