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ソニー研 | 論文
- 15p-F-8 強磁性体の結晶磁気異方性の圧力効果 : フェライトを中心にして
- 10分間講演を有効にするために
- 半導体国際会議 (1966) の報告
- 半導体をめぐって
- 4a-G-3 Mn-ferriteのX線観察
- CdSeのphotosensitive ESR : イオン結晶・光物性
- CdSeのESR : イオン結晶光物性 : ESR,螢光体
- CdSのPhotosensitive centerのENDOR : イオン結晶光物性 : ESR,螢光体
- CdSのPhotosensitive E. S. R. : イオン結晶光物性 : ESR,螢光体
- II-VI化合物の photosensitive ESR
- 10a-L-8 CdSのphotosensitive ESR II
- 歪をかけた半導体のESR : 半導体における歪効果シンポジウム
- CdSのphotosensitive ESR : 光物性
- CdSのshallow trapとdeep trapのESR(光物性)
- Geのg-shiftとeffective massのストレス効果(半導体(スピンレゾナンス))
- n-Geの不純物伝導領域におけるESR(半導体(マイクロ波))
- 7p-A-13 ストレスをかけた場合のGeのESR-Sbの場合
- 7p-A-12 ストレスをかけた場合のGeのESR-Pの場合
- 半導体における格子欠陥のESRによる研究
- 鉄族イオンESRへのストレス効果 : 磁気共鳴