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イビデン株式会社 | 論文
- 放電加工電極用グラファイト材料について
- 放電加工用グラファイト電極材料の特性
- SiC-DPFを用いたディーゼル自動車のPMろ過技術
- MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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- ブラシレスDCサーボモータのホール素子による正弦波/方形波駆動を用いた速度制御法
- 液相エピタキシャル成長LiNbO_3薄膜光導波路とそれを用いた進行波形光変調器の作製と評価
- 液相エピタキシャル成長MgO添加LiNbO_3薄膜光導波路の作製と光損傷特性(LN,LT結晶の育成と光損傷)
- 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- 反応拡散系モデリングを導入した有限被覆法による骨組織形成シミュレーション
- 力学系実験と同期解析・可視化による力学現象のイメージ思考能力の育成システムの開発
- 305 有限被覆法における三次元一般化要素の性能評価(材料特性解析)
- マグネトロンスパッタ法によって作製したSi系水素化非晶質半導体薄膜の特性
- 要素技術から見た装置と自動化の動向(2000 年エレクトロニクス実装技術の動向 : エレクトロニクス実装のキーテクノロジを探る)
- 装置と自動化技術の動向(1999 年エレクトロニクス実装技術の動向 : エレクトロニクス実装のキーテクノロジを探る)
- 検査
- MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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