スポンサーリンク
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研究センター | 論文
- 22pGQ-11 反射高速陽電子回折によるモット絶縁体表面の原子配置の研究(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aRD-2 反射高速陽電子回折を用いたSn/Ge(111)表面の相転移の研究(28aRD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-11 反射高速陽電子回折を用いた半導体表面上のSn原子吸着構造の低温相の研究(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-10 反射高速陽電子回折におけるエネルギー損失スペクトルの測定(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYG-10 反射高速陽電子回折を用いた金属薄膜表面における表面プラズモン励起の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28aRD-1 Si(111)√×√-(Au,Ag)構造の相転移(28aRD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWS-5 反射高速陽電子回折によるアルカリ金属吸着Si(111)-√×√-B表面の相転移の研究(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aRD-4 反射高速陽電子回折による表面相転移の研究(28aRD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWS-6 反射高速陽電子回折によるPt/Ge(001)表面の一次元原子鎖の構造解析(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pWL-3 スピン偏極陽電子と磁性電子の対消滅過程(23pWL 実験技術・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pRH-9 高スピン偏極陽電子源の開発とスピン偏極率評価(23pRH 放射線物理(分析・計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 30aRD-3 歪みによるSi/Ge(111)-√×√-Ag表面の電子状態の変化(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTD-3 Ge/Si(111)-5×5-DAS表面上のAg吸着構造の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-11 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態と光電子分光(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30pYB-2 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXF-7 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aXC-4 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と温度変化(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 26aHE-2 スピン偏極陽電子消滅による磁性材料の研究について(26aHE 磁性一般・測定技術開発・フラストレーション系,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pTG-8 反射高速陽電子回折によるPt/Ge(001)表面相転移に伴う構造変化の解析(25pTG 表面界面構造(半導体・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pTN-3 高スピン偏極陽電子線源の開発と低速陽電子ビーム発生(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
スポンサーリンク