先崎 純寿 | 産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
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概要
産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター | 論文
- 化学気相法によるSiC高速エピタキシャル成長技術の現状
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 高濃度オゾンによるSiC高速酸化と酸化膜の特性評価
- SiC MOSFETの諸問題と基礎技術