富田 浩由 | 富士通セミコンダクター株式会社
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概要
富士通セミコンダクター株式会社 | 論文
- 実デバイス基板を用いたサブ10ミクロン薄化技術の開発(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- High-k/ メタルゲートCMOSの開発動向と課題
- 超低電圧動作を可能にするチャネルエンジニアリング(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 超低電圧動作を可能にするチャネルエンジニアリング