桑沢 好則 | 千葉大・理・物理
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概要
千葉大・理・物理 | 論文
- 30aYF-11 螺旋対称性を持つ空孔半導体In_2Se_3の電子物性に関する第一原理計算(アンダーソン局在・低次元物質)(領域4)
- 25pPSB-1 InGaNエピタキシャル成長における表面歪みと結晶多形の関係性の解明(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pPSB-75 表面光学応答スペクトルにおける垂直分極効果(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- ZnSe/GaAsヘテロエピタキシーにおける欠陥生成のシミュレーション : 成長界面III
- 28a-G-2 非縮退光による半導体光学スペクトル