上村 大輔 | 慶大理工:名大院理

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論文 | ランダム

• 28a-R-12 分数量子ホール状態におけるポイントコンタクト
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• 堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術工程が単純で将来の微細化に対応できる分離技術
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