鍵沢 篤 | シャープ(株)IC天理事業本部 超LSI開発研究所
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概要
シャープ(株)IC天理事業本部 超LSI開発研究所 | 論文
- SOI構造におけるゲート酸化膜のプロセスチャージングによる劣化メカニズム
- 低電圧駆動・高性能ASICを実現する0.35μm CMOS/SOI技術
- 低電圧駆動・高性能ASICを実現する0.35μm CMOS/SOI技術
- 低電圧駆動・高性能ASICを実現する0.35μm CMOS/SOI技術
- 0.35μmシャローSIMOX/CMOSプロセスインテグレーション