Feng Gan | Venture Laboratory, Kyoto Institute of Technology, Sakyo, Kyoto 606-8585, Japan

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概要

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• 同名の論文著者
• Venture Laboratory, Kyoto Institute of Technology, Sakyo, Kyoto 606-8585, Japanの論文著者

関連著者

• Oe Kunishige

  Department Of Electronics And Information Science Faculty Of Engineering And Design Kyoto Institute

• CHAYAHARA Akiyoshi

  AIST Kansai

• HORINO Yuji

  AIST Kansai

• Chayahara Akiyoshi

  AIST Kansai, 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan

• Yoshimoto Masahiro

  Cooperate Research Center, Kyoto Institute of Technology, Sakyo, Kyoto 606-8585, Japan

• Feng Gan

  Venture Laboratory, Kyoto Institute of Technology, Sakyo, Kyoto 606-8585, Japan

著作論文

• New III–V Semiconductor InGaAsBi Alloy Grown by Molecular Beam Epitaxy

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