原 史朗 | 独立行政法人産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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概要
独立行政法人産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門 | 論文
- ジョセフソン素子と準粒子トンネル素子のセンサ応用 (小特集 量子限界への扉を開くジョセフソン効果 : 発見から50年,その基礎と応用)
- 3.ジョセフソン素子と準粒子トンネル素子のセンサ応用(量子限界への扉を開くジョセフソン効果-発見から50年,その基礎と応用-)
- 1-3 22nm以細対応マルチゲートFinFETデバイス技術(1.CMOS技術の最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
- 2-3 抵抗変化メモリReRAMの技術開発最新動向(2.不揮発性メモリ技術の最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
- 抵抗変化メモリReRAMの技術開発最新動向