高橋 明 | シャープ株式会社 デバイス技術研究所
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概要
シャープ株式会社 デバイス技術研究所 | 論文
- p-GaNに対する低抵抗TaTiオーミック・コンタクト材の形成及び劣化機構
- 青紫色自励振動lnGaNレーザの動特性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- GaN基板上低楕円率青紫色半導体レーザ(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaN基板上低楕円率青紫色半導体レーザ(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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