Fukuyama Hiroyuki | NTT System Electronics Laboratories, 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-01, Japan

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概要

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• 同名の論文著者
• NTT System Electronics Laboratories, 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-01, Japanの論文著者

関連著者

• Yamamoto Masafumi

  Ntt System Electronics Laboratories

• Waho Takao

  Ntt System Electronics Laboratories

• FUKUYAMA Hiroyuki

  NTT System Electronics Laboratories

• Fukuyama Hiroyuki

  NTT System Electronics Laboratories, 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-01, Japan

著作論文

• Tunneling Current through Si Donor Level in GaAs/AlAs Single-Barrier Diodes

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