高木 敏行 | メルク・ジャパン株式会社 厚木テクニカルセンター

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概要

• 同名の論文著者
• メルク・ジャパン株式会社 厚木テクニカルセンターの論文著者

関連著者

• 高木 敏行

  メルク・ジャパン株式会社厚木テクニカルセンター

• 中園 祐司

  メルク・ジャパン株式会社 厚木テクニカルセンター

• 沢田 温

  メルク・ジャパン株式会社 厚木テクニカルセンター

• 苗村 省平

  メルク・ジャパン株式会社 厚木テクニカルセンター

• 苗村 省平

  メルク(株)液晶事業部厚木テクニカルセンター

• 苗村 省平

  メルク・ジャパン(株)、厚木テクニカルセンター

• 沢田 温

  メルク・ジャパン株式会社厚木テクニカルセンター

• 澤田 温

  メルク・ジャパン株式会社 厚木テクニカルセンター

• 高木 敏行

  メルク・ジャパン株式会社 厚木テクニカルセンター

• 澤田 温

  メルク・ジャパン(株)

• 一ノ瀬 秀男

  メルク・ジャパン

• 一ノ瀬 秀男

  メルク

• Tarumi Kazuaki

  LC Research, BU LC, Merck KGaA

• 樽見 和明

  LC Research, BU LC, Merck KGaA

• 樽見 和明

  Merck Kgaa

• Tarumi K

  Merck Kgaa Darmstadt Deu

• Pausch Axel

  Liquid Crystal Research Business Unit Liquid Crystals Merck Kgaa Germany

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著作論文

• 液晶セルの残留DCの評価
• 液晶セル中のイオンの生成メカニズムに関する考察
• 3)液晶材料に流れる定常電流に対する実験的検討(情報ディスプレイ研究会)
• 4)負の誘電異方性を有する液晶材料の残留DC特性の評価(情報ディスプレイ研究会)
• 液晶材料に流れる定常電流に対する実験的検討
• 負の誘電異方性を有する液晶材料の残留DC特性の評価
• 負の誘電異方性を有する液晶材料の残留DC特性の評価
• 負の誘電異方性を有する液晶材料の残留DC特性の評価
• 液晶セル中のイオンの生成メカニズムに関する考察
• 2PA02 液晶セルの交流導電率の電圧依存性

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