P Migliorato | Department of Engineering, University of Cambridge
スポンサーリンク
概要
Department of Engineering, University of Cambridge | 論文
- 壁面による乱流のブロック効果に及ぼすレイノルズ数の影響 : 第3報,非等方性乱流の壁面ブロック効果に関する直接数値計算(流体工学,流体機械)
- 壁面による乱流のブロック効果に及ぼすレイノルズ数の影響 : 第2報,Townsendのモデル渦によるフォーシングを用いた直接数値計算(流体工学,流体機械)
- 壁面ブロック効果による波状壁面上での二次流れ(流体工学,流体機械)
- Extraction of Trap State at the Oxide-Silicon Interface and Grain Biundary in Polycrystallune Silicon Thin-Film Transistors
- Extraction of Trap States at the Oxide-Silicon Interface and Grain Boundary for Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors : Semiconductors