田島 正文 | 北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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概要
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- 原子層堆積により形成したAl_2O_3/AlGaN/GaNの界面評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- AlGaN/GaN MIS構造におけるC-V特性の解釈(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)