山田 晃弘 | 松下電器産業(株) 半導体研究センター

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概要

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• 松下電器産業(株) 半導体研究センターの論文著者

松下電器産業(株) 半導体研究センター | 論文

• パネル討論 : 設計/CAD技術はディープサブミクロン時代の挑戦に耐えられるか
• 大規模回路におけるゲートレベル回路抽出手法
• 映像処理用LSIのための設計検証の一手法
• 投機的命令実行機構の性能解析
• プラズマダメージを受けたゲート酸化膜の定電流TDDB寿命と定電圧TDDB寿命の関係

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