岡村 静致 | 静岡大学工学部 電気・電子工学科

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静岡大学工学部 電気・電子工学科 | 論文

• 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• CuIを用いたホットウォール法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価
• CuIを用いたホットウォール法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価

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