松井 康 | 松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所
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概要
松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所 | 論文
- 減圧MOCVD法により成長した歪み緩和されたInGaNのボーイングパラメータ
- 減圧MOCVD法により成長した歪み緩和されたInGaNのボーイングパラメータ
- AlGaAs系低雑音高出力半導体レーザー - 実屈折率導波構造による低非点隔差化 -
- InAsP吸収性回折格子型利得結合DFBレーザの高出力, 狭線幅動作
- InAsP埋め込み回折格子型1.55μm帯λ/4位相シフト DFBレーザのスペクトル線幅特性