Pohl Udo | Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany
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概要
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- Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germanyの論文著者
関連著者
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Pohl Udo
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany
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Pohl Udo
Institut Fur Festkorperphysik Technische Universitat Berlin
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Bimberg Dieter
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany
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Knorr Kerstin
Institut Fur Festkorperphysik Technische Universitat Berlin
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Christen Jurgen
Institute Of Experimental Physics Otto-von-guericke University
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RICHTER Wolfgang
Institut fur Festkorperphysik, PN 6-1, Technische Universitat Berlin
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Bimberg Dieter
Institut Fur Festkorperphysik Technische Universitat Berlin
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Schumann Herbert
Institut Fur Anorganische Und Analyische Chemie Technische Universitat Berlin
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STRITTMATTER Andre
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin
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Richter Wolfgang
Institut Fur Festkorperphysik Technische Universitat Berlin
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Richter Wolfgang
Institut Fur Festkorperphysik Friedrich-schiller University
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Christen Jurgen
Institut Fur Experimentelle Physik Otto-von-guericke Universitat
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MOLLER Carsten
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin
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GERNERT Ulrich
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin
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BLASING Jurgen
Institut fur Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke Universitat
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GOTTFRIEDSEN Jochen
Institut fur Anorganische und Analyische Chemie, Technische Universitat Berlin
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Ivanova Lena
Institut Fur Festkorperphysik Technische Universitat Berlin
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Eisele Holger
Institut Fur Festkorperphysik Technische Universitat Berlin
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Blaesing J
Otto-von-guericke-university Magdeburg Faculty Of Natural Sciences Institut Of Experimental Physics
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Gernert Ulrich
Institut Fur Festkorperphysik Technische Universitat Berlin:also Central Department Of Electron Micr
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Moller Carsten
Institut Fur Festkorperphysik Technische Universitat Berlin
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Lenz Andrea
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germa
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Becker Jonas
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germa
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Lenz Ernst
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germa
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Luckert Franziska
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germa
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Pötschke Konstantin
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germa
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Dähne Mario
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germa
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Lenz Andrea
Institut Fur Festkorperphysik Technische Universitat Berlin
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Becker Jonas
Institut Fur Festkorperphysik Technische Universitat Berlin
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Lenz Ernst
Institut Fur Festkorperphysik Technische Universitat Berlin
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Gottfriedsen Jochen
Institut Fur Anorganische Und Analyische Chemie Technische Universitat Berlin
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Strittmatter Andre
Institut Fur Festkorperphysik Technische Universitat Berlin
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Luckert Franziska
Institut Fur Festkorperphysik Technische Universitat Berlin
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Potschke Konstantin
Institut Fur Festkorperphysik Technische Universitat Berlin
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Wenning Felix
Fraunhofer Institute for Telecommunications, Heinrich-Hertz-Institut, Einsteinufer 37, 10587 Berlin, Germany
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Franke Dieter
Fraunhofer Institute for Telecommunications, Heinrich-Hertz-Institut, Einsteinufer 37, 10587 Berlin, Germany
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Kreissl Jochen
Fraunhofer Institute for Telecommunications, Heinrich-Hertz-Institut, Einsteinufer 37, 10587 Berlin, Germany
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Rehbein Wolfgang
Fraunhofer Institute for Telecommunications, Heinrich-Hertz-Institut, Einsteinufer 37, 10587 Berlin, Germany
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Kuenzel Harald
Fraunhofer Institute for Telecommunications, Heinrich-Hertz-Institut, Einsteinufer 37, 10587 Berlin, Germany
著作論文
- Low-Temperature Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) of GaN using Tertiarybutylhydrazine
- Effect of the Shape of InAs Nanostructures on the Characteristics of InP-Based Buried Heterostructure Semiconductor Optical Amplifiers
- Atomic Structure of Buried InAs Sub-Monolayer Depositions in GaAs