伊藤 晋朗 | 東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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概要
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ | 論文
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- HfAlOxゲート絶縁膜をもつMOSキャパシタの過渡的電気特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)