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Takashima Atsushi | Starc
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25pYP-4 As^+イオン注入によりSi基板中に導入された反跳酸素と空孔型欠陥の検出
MOSFETモデル評価用テスト回路(2) : 入力電圧の微少変化の増幅
MOSFETモデル評価用テスト回路(1) : しきい値電圧付近の電流領域の評価
システムLSIに輝かしい未来はあるか?
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