野村 健太郎 | 東北大理
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概要
関連著者
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野村 健太郎
東北大理
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柴田 尚和
東北大理
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柴田 尚和
Department Of Physics Tohoku University
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井村 健一郎
東北大理
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越野 幹人
東工大理
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野村 健太郎
理研CERG
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Shibata N
Univ. Tsukuba Tsukuba
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倉本 義夫
東北大理
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山影 相
東北大理
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笠 真生
UCSB
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吉岡 大二郎
東大総合文化
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Kuramoto Yoshio
Department Of Mathematics And Statistics University Of Melbourne:department Of Physics Tohoku Univer
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山影 相
名大院工
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永長 直人
東大工:理研cmrg
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笠 真生
UCバークレー
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井村 健一郎
東京大学物理工学科
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井村 健一郎
パリ第11大
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倉本 義夫
東北大・工
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倉本 義夫
東大 理
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永長 直人
理研CERG
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野村 健太郎
東大総合文化
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永長 直人
東大工:理研
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古崎 昭
理研
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Mudry Christopher
Psi
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野村 健太郎
東京大学大学院総合文化研究科
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井村 健一郎
広大先端研
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伊藤 透
東北大理
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野村 健太郎
理化学研究所
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倉本 義夫
東大・理
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KURAMOTO Yoshio
Department of Applied Physics, Tohoku University
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野村 健太郎
理研
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笠 真生
UC Berkeley
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Lee Dung-Hai
UCバークレー
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井村 健一郎
東京大学大学院工学系研究科
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Barlas Yafis
NHMFL
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Cote Rene
シェルブルック大
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MacDonald Allan
テキサス大
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野村 健太郎
東北大学理学研究科物理学専攻
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Jungwirth T.
テキサス大
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MacDonald A.
テキサス大
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吉岡 大二郎
東京大学大学院総合文化研究科
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吉岡 大二郎
東大院総合文化
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井村 健一郎
東北大理:広大先端研
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野村 健太郎
東北大理:理研:東北大金研
著作論文
- 22pHV-4 3次元トポロジカル絶縁体の表面に現れるディラック粒子(22pHV 領域4,領域3,領域9,領域6合同シンポジウム:量子スピンホール系・トポロジカル絶縁体の物理とその発展,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pHV-4 3次元トポロジカル絶縁体の表面に現れるディラック粒子(22pHV 領域4,領域3,領域9,領域6合同シンポジウム:量子スピンホール系・トポロジカル絶縁体の物理とその発展,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aHV-1 Z_2トポロジカル絶縁体の接合における乱れの効果(23aHV 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pYE-3 磁場中グラフェンにおけるトポロジカル励起と乱れの効果(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,領域4合同,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22aTA-5 ゼロ磁場極限におけるディラック粒子の量子ホール効果(22aTA 領域4,領域7合同 グラフェン・量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pWH-1 グラフェンにおける量子輸送現象(グラフェン,領域4,領域7合同講演,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- グラフェンにおけるディラック粒子の量子ホール効果
- 24pXA-6 3次元トポロジカル絶縁体表面における磁壁と磁気渦の荷電効果(24pXA 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25pD-1 分数量子ホール系における階層構造と量子輸送現象
- 23pXA-3 Z_2トポロジカル絶縁体における局在の相図と臨界指数(23pXA 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 27pYH-13 単層および二層グラフェンにおける分数量子ホール状態の階層構造(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTA-8 二層グラフェンにおける分数量子ホール状態(22aTA 領域4,領域7合同 グラフェン・量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pWH-2 強磁場中グラフェンにおけるスカーミオン励起(グラフェン,領域4,領域7合同講演,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTH-3 ν=2およびν=2/3量子ホール系におけるスピンドメインの形成(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 28pTX-3 グラフェンにおけるディラック粒子の量子輸送現象(28pTX 若手奨励賞,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pYH-12 二層グラフェンにおける量子ホール強磁性(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pRA-5 グラフェンにおける量子ホール効果(領域4シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 31pZP-3 イジング強磁性量子ホール系の量子相転移 2
- 18pYH-10 偶数分母量子ホール系におけるペアリング状態間の量子相転移
- 25pD-2 二層量子ホール系エッジ状態と輸送現象
- 24aD-6 二層量子ホール系のエッジ状態と輸送現象II
- 25aWR-1 スピン軌道相互作用の分数量子ホール系に対する影響(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 28aHG-4 乱れたZ_2絶縁体・金属転移の臨界指数と相図(28aHG トポロジカル絶縁体/超伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aHG-3 スピン軌道相互作用の分数量子ホール系に対する影響(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aHG-11 3次元トポロジカル絶縁体における表面量子ホール電流と電気磁気効果(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTC-7 磁性不純物をドープしたトポロジカル絶縁体における表面磁化制御(24aTC トポロジカル絶縁体(輸送・局在),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aDK-2 金属・トポロジカルアンダーソン絶縁体転移の量子臨界性(トポロジカル絶縁体(理論),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))