25pWH-1 グラフェンにおける量子輸送現象(グラフェン,領域4,領域7合同講演,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-02-29

著者

• 野村 健太郎

  東北大理

• 笠 真生

  UCバークレー

• 越野 幹人

  東工大理

• 笠 真生

  UCSB

関連論文

• 22pHV-4 3次元トポロジカル絶縁体の表面に現れるディラック粒子(22pHV 領域4,領域3,領域9,領域6合同シンポジウム:量子スピンホール系・トポロジカル絶縁体の物理とその発展,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pHV-4 3次元トポロジカル絶縁体の表面に現れるディラック粒子(22pHV 領域4,領域3,領域9,領域6合同シンポジウム:量子スピンホール系・トポロジカル絶縁体の物理とその発展,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23aHV-1 Z_2トポロジカル絶縁体の接合における乱れの効果(23aHV 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pHV-2 多層グラフェンの電子物性の理論的研究(21pHV 若手奨励賞,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aGS-9 グラフェンの反磁性に対するギャップの効果 : 擬スピン常磁性から3次元ディラック系へ(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pYE-3 磁場中グラフェンにおけるトポロジカル励起と乱れの効果(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,領域4合同,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aZ-7 周期的極小曲面上に束縛された電子の量子状態
• 26pYE-2 グラフェンにおける磁場の遮蔽効果と鏡像効果(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,領域4合同,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30pTE-7 二層グラファイトにおける量子輸送(30pTE グラファイト・高圧,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pTA-6 単層・多層グラフェンにおける光学特性(21pTA 領域7,領域4,領域9合同シンポジウム:グラフェン研究の焦点-新しい挑戦-,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTA-5 ゼロ磁場極限におけるディラック粒子の量子ホール効果(22aTA 領域4,領域7合同 グラフェン・量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTA-5 ゼロ磁場極限におけるディラック粒子の量子ホール効果(22aTA 領域4,領域7合同 グラフェン・量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pWH-1 グラフェンにおける量子輸送現象(グラフェン,領域4,領域7合同講演,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pWH-1 グラフェンにおける量子輸送現象(グラフェン,領域4,領域7合同講演,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• グラフェンにおけるディラック粒子の量子ホール効果
• グラフェンにおけるディラック粒子の量子ホール効果
• 20aTA-7 スピン軌道相互作用のある量子細線でのスピン緩和(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aTA-7 スピン軌道相互作用のある量子細線でのスピン緩和(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aRJ-5 多層カーボンナノチューブの電場・磁場応答(ナノチューブ・理論,領域7,分子性固体・有機導体)
• 18aTA-6 単層グラフェンにおける軌道反磁性(量子ホール効果(理論),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18aTA-6 単層グラフェンにおける軌道反磁性(量子ホール効果(理論),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25aXL-10 グラフェンにおける整数量子ホール効果(25aXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aYF-13 単層・多層カーボンナノチューブの電場応答(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pXB-5 スピン軌道相互作用のある2次元電子系におけるスピン緩和(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXB-5 スピン軌道相互作用のある2次元電子系におけるスピン緩和(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXB-2 二次元電子系におけるスピンホール伝導度の振動数依存性(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXB-2 二次元電子系におけるスピンホール伝導度の振動数依存性(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aYC-1 乱れのある二次元電子系におけるスピンホール伝導度(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-2 強磁場中2次元周期系における局在・量子ホール効果(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-2 強磁場中2次元周期系における局在・量子ホール効果(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aZC-4 量子ドットを含むABリングにおける干渉効果と非弾性散乱(コヒーレント伝導,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 14aYB-7 2 次元周期系における局在・量子ホール効果(量子ホール効果, 領域 4)
• 14aYB-7 2 次元周期系における局在・量子ホール効果(量子ホール効果, 領域 4)
• 28pZA-3 3 次元物質におけるフェルミ面構造と量子ホール効果
• 25pWS-8 単層,2層グラフェン境界における谷分極伝導(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pXA-6 3次元トポロジカル絶縁体表面における磁壁と磁気渦の荷電効果(24pXA 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25pD-1 分数量子ホール系における階層構造と量子輸送現象
• 23aXA-9 不純物を含むグラフェンにおける非一様磁場への応答(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 23aXA-8 長距離不純物のあるグラフェンにおける輸送理論(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 23pXA-3 Z_2トポロジカル絶縁体における局在の相図と臨界指数(23pXA 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 27pYH-13 単層および二層グラフェンにおける分数量子ホール状態の階層構造(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTA-8 二層グラフェンにおける分数量子ホール状態(22aTA 領域4,領域7合同 グラフェン・量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pWH-2 強磁場中グラフェンにおけるスカーミオン励起(グラフェン,領域4,領域7合同講演,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-3 ν=2およびν=2/3量子ホール系におけるスピンドメインの形成(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28pTX-3 グラフェンにおけるディラック粒子の量子輸送現象(28pTX 若手奨励賞,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pYH-12 二層グラフェンにおける量子ホール強磁性(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pRA-5 グラフェンにおける量子ホール効果(領域4シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 31pZP-3 イジング強磁性量子ホール系の量子相転移 2
• 18pYH-10 偶数分母量子ホール系におけるペアリング状態間の量子相転移
• 25pD-2 二層量子ホール系エッジ状態と輸送現象
• 24aD-6 二層量子ホール系のエッジ状態と輸送現象II
• 25aWR-1 スピン軌道相互作用の分数量子ホール系に対する影響(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 22pZ-6 磁場中3次元tight-binding模型におけるバタフライ・スペクトル
• 28aHG-4 乱れたZ_2絶縁体・金属転移の臨界指数と相図(28aHG トポロジカル絶縁体/超伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aHG-3 スピン軌道相互作用の分数量子ホール系に対する影響(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aHD-1 長距離不純物のあるグラフェンにおける軌道反磁性(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pTA-8 グラフェンの量子物性-ディラック点における特異な物理(27pTA 領域7シンポジウム:グラフェン物性の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aHG-11 3次元トポロジカル絶縁体における表面量子ホール電流と電気磁気効果(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aTC-7 磁性不純物をドープしたトポロジカル絶縁体における表面磁化制御(24aTC トポロジカル絶縁体(輸送・局在),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pTE-8 グラフェンの量子物性 : ディラック点における特異な物理(23pTE 領域7,領域4,領域9合同シンポジウム:グラフェン物性の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aDK-2 金属・トポロジカルアンダーソン絶縁体転移の量子臨界性(トポロジカル絶縁体(理論),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク