井手上 敏也 | 東大工
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概要
関連著者
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井手上 敏也
東大工
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十倉 好紀
東大工
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小野瀬 佳文
Erato-mf:東大工
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永長 直人
東大工
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小野瀬 佳文
東大工
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塩見 雄毅
東大工
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十倉 好紀
理研cmrg:erato-mf
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十倉 好紀
東大工:jrcat
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Shen Z.
Department Of Applied Physics Stanford University
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永長 直人
東大工:理研cmrg
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桂 法称
KITP
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塩見 雄毅
東大工:理研cmrg
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小野 瀬佳文
JST-ERATO
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Tokura Yoshinori
Department Of Applied Physics University Of Tokyo:correlated Electron Research Center (cerc) Nationa
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Tokura Yoshinori
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology (aist):department Of Applied Physic
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Tokura Yoshinori
Correlated Electron Research Center (cerc) National Institute Of Advanced Industrial Science And Tec
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Tokura Yoshinori
Institute Of Materials Structure Science High Energy Accelerator Research Organization:correlated El
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Tokura Yoshinori
Joint Research Center For Atom Technology : Correlated Electron Research Center (cerc) National Inst
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Tokura Yoshinori
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering University Of Tokyo
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塩見 雄毅
東北大金研・WPI-AIMR
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石渡 晋太郎
理研CMRG
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村川 寛
京大院理:(現)jst Erato-mf
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Tokura Y
Department Of Applied Physics University Of Tokyo:cross- Correlated Materials Research Group Riken:m
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Tokura Y
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology (aist):department Of Applied Physic
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Shen Z-x.
Stanford Univ.
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石渡 晋太郎
東大工
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永長 直人
東大工:理研
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Tokura Yoshinori
Department Of Applied Physics University Of Tokyo:correlated Electron Research Center National Insti
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Tokura Yoshinori
Department Of Physics University Of Tokyo : Joint Research Center For Atom Technology (jrcat)
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Tokura Yoshinori
Spin Superstructure Project Erato Japan Science And Technology Agency (jst) : Correlated Electron Re
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Tomioka Y
Correlated Electron Research Center (cerc) National Institute Of Advanced Industrial Science And Tec
-
桂 法称
学習院大理
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金子 良夫
JST-ERATO-MF
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村川 寛
阪大理
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金子 良夫
理研CMRG-CERG
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金子 良夫
理研CEMS
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永長 直人
東大工:理研CEMS
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Checkelsky J.G.
東大工
-
Bahramy M.S.
理研CEMS
著作論文
- 21pGE-13 Lu_2V_2O_7におけるマグノンホール効果の観測(21pGE パイロクロア・フラストレーション系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 強磁性絶縁体におけるマグノンのホール効果
- 27pEC-14 強磁性絶縁体におけるマグノンホール効果の格子依存性(27pEC 幾何学的フラストレーション,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aDK-4 極性半導体BiTeIにおける圧力下輸送特性(グラフェン(新物質・表面界面),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))