平野 有一 | ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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概要
ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部 | 論文
- PTI-ABC SOIを用いた低消費電力SOC設計 : ボディバイアスコントロールによるばらつきを抑えた低消費電力回路設計
- PTI-ABC SOIを用いた低消費電力SOC設計 : ボディバイアスコントロールによるばらつきを抑えた低消費電力回路設計(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- PTI-ABC SOIを用いた低消費電力SOC設計 : ボディバイアスコントロールによるばらつきを抑えた低消費電力回路設計
- サブ50nm時代の切り札SOI : SOIがBulkに勝てる技術はこれだ!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- サブ50nm時代の切り札SOI : SOIがBulkに勝てる技術はこれだ!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))