Schulze Jorg | Institute Of Physics University Of The German Federal Armed Forces
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概要
関連著者
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Schulze Jorg
Institute Of Physics University Of The German Federal Armed Forces
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Schulze Jorg
Institut Fur Haibleitertechnik University Of Stuttgart Stuttgart Research Center Of Photonic Engineering Scope
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Fink Christoph
Institute Of Physics University Of The German Federal Armed Forces
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Eisele Ignaz
Institute Of Physics Faculty Of Electrical Engineering Universitat Der Bundeswher Munich
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Schulze J
Univ. German Federal Armed Forces Neubiberg Deu
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Schulz Wolfgang-michael
Institut Fur Halbleiteroptik Und Funktionelle Grenzflachen Universitat Stuttgart
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Eisele Ignaz
Institute Of Physics University Of The German Federal Armed Forces
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HANSCH Walter
Department of Electrical Engineering, Technical University of Munich
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WERNER Wolfgang
Infineon Technologies AG
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KANERT Werner
Infineon Technologies AG
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Hansch Walter
Department Of Electrical Engineering Technical University Of Munich
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Michler Peter
Institut Fur Halbleiteroptik Und Funktionelle Grenzflachen Universitat Stuttgart
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Jetter Michael
Institut Fur Halbleiteroptik Und Funktionelle Grenzflachen Universitat Stuttgart
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Werner Jens
Institut Fur Haibleitertechnik University Of Stuttgart Stuttgart Research Center Of Photonic Engineering Scope
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WIESNER Michael
Institut fur Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflachen, University of Stuttgart
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BOMMER Moritz
Institut fur Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflachen, University of Stuttgart
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ETTER Martin
Institut fur Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflachen, University of Stuttgart
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OEHME Michael
Institut fur Haibleitertechnik, University of Stuttgart, Stuttgart Research Center of Photonic Engineering SCoPE
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Oehme Michael
Institut Fur Haibleitertechnik University Of Stuttgart Stuttgart Research Center Of Photonic Engineering Scope
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Wiesner Michael
Institut Fur Halbleiteroptik Und Funktionelle Grenzflachen University Of Stuttgart
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Etter Martin
Institut Fur Halbleiteroptik Und Funktionelle Grenzflachen University Of Stuttgart
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Bommer Moritz
Institut Fur Halbleiteroptik Und Funktionelle Grenzflachen University Of Stuttgart
著作論文
- Reducing of R_ in Vertical Power-MOSFETs due to Local Channel Doping
- Epitaxially Grown Indium Phosphide Quantum Dots on a Virtual Ge Substrate Realized on Si(001)