Yang C | Hitachi Ltd. Tokyo Jpn

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概要

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Hitachi Ltd. Tokyo Jpn | 論文

• A 6.93-μm^2 Full CMOS SRAM Cell Technology for 1.8-V High-Performance Cache Memory
• Highly Anisotropic Etching of Polysilicon by Time-Modulation Bias
• Highly Selective Etching of Poly-Si by Time Modulation Bias
• Tungsten Gate Technology for Quarter-Micron Application
• Tungsten Gate Technology for Quarter-Micron Application

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