田村 泰之 | 半導体先端テクノロジーズ(selete)第一研究部
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概要
半導体先端テクノロジーズ(selete)第一研究部 | 論文
- 低消費電力用途を目的とした極浅接合を有する65nmノードCMOSプロセス(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 低スタンバイ電力用途HfSiONトランジスタの高集積化
- 低消費電力対応65nmノードCMOSプロセス : LOP対応極浅接合技術、LSTP対応HfSiONトランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 低消費電力対応65nmノードCMOSプロセス : LOP対応極浅接合技術、LSTP対応HfSiONトランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))