Date H | Starc

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概要

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Starc | 論文

• 25pYP-4 As^+イオン注入によりSi基板中に導入された反跳酸素と空孔型欠陥の検出
• MOSFETモデル評価用テスト回路(2) : 入力電圧の微少変化の増幅
• MOSFETモデル評価用テスト回路(1) : しきい値電圧付近の電流領域の評価
• システムLSIに輝かしい未来はあるか?
• システムLSIに輝かしい未来はあるか?

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