武安 光太郎 | 東京大学生産技術研究所
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概要
関連著者
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武安 光太郎
東京大学生産技術研究所
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福谷 克之
東大生研
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福谷 克之
東京大学生産技術研究所
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武安 光太郎
東大生研
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福谷 克之
東大生産技術研
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小倉 正平
東大生研
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小倉 正平
東京大学生産技術研究所
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松本 益明
東大生研
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杉本 敏樹
京都大学大学院 理学系研究科 化学専攻
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杉本 敏樹
東大生研
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岡野 達雄
東大生研
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岡田 美智雄
阪大院理
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岡田 美智雄
大阪大学科学教育機器リノベーションセンター
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松本 益明
東京大学生産技術研究所
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武安 光太郎
東京大学工学系研究科物理工学専攻
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南谷 英美
理化学研究所基幹研究所
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福谷 克之
東京大学生産技術研究所 基礎系部門
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南谷 英美
理化学研究所
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松本 益明
東京大学生産技術研究所 基礎系部門
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杉本 敏樹
京都大学大学院理学研究科化学専攻
著作論文
- 30aPS-24 Ir(111)表面上の気体分子吸着構造の研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 低速電子線回折法による金属清浄表面及び気体吸着表面の構造に関する研究
- 23pWX-8 SrTiO_3:Nb表面の分子吸着による電気伝導変化(23pWX 表面界面電子物性(有機分子),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-110 スピン偏極原子状水素源の開発(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- スピン偏極原子状水素ビーム光学系の理論的解析
- スピン偏極原子状水素ビーム光学系の理論的解析
- 26pTH-6 SrTiO_3:Nb表面の吸着誘起電気伝導変化に見られる不純物準位の生成消滅(26pTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aHA-2 O_2, H_2吸着によるSrTiO_3:Nb表面の状態密度変化と電気伝導度抑制(22aHA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 「第二回表面科学若手研究会」報告
- 単一の表面吸着サイトを持つ真空容器内のガスダイナミクス～キロ秒オーダーの指数関数的排気曲線の正体～
- 圧力-吸着状態密度変換式による水排気曲線の解析