松倉 保夫 | 日電半導体

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概要

• 同名の論文著者
• 日電半導体の論文著者

関連著者

• 松倉 保夫

  九州芸術工科大学

• 松倉 保夫

  日電半導体

• 三浦 義雄

  日電半導体

• 長江 茂一郎

  防大

• 松倉 保夫

  日電 半導体

• 小田 丞司

  電試

• 小田 丞司

  日電半導体

• 松倉 保夫

  日電

著作論文

• Si-SiO_2境界面の性質III : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))
• Si-SiO_2境界面の性質II : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))
• Geにおける少数キャリヤー寿命の一軸性圧力効果 : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
• GePN接合の歪効果(角度強存性) : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
• Ni doped Siの電気的性質(III) : 半導体

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