小田 丞司 | 日電半導体

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• 7a-L-1 Ge-Si Heterojunction (I)
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• 4p-L-3 Ni doped Siの電気的性質 (II)
• Cu doped Ge p-n junctionのuniaxial stress effect : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
• 9a-M-10 Ni doped Siの電気的性質

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