Si-SiO_2境界面の性質III : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1966-03-31
著者
関連論文
- 蛋白溶液の粘性測定 : 生体物理
- 11a-Q-12 イオンの沈降による微小電圧の測定法
- 密度勾配光学遠心機 : 生体物理
- Si-SiO_2境界面の性質III : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))
- Si-SiO_2境界面の性質II : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))
- Geにおける少数キャリヤー寿命の一軸性圧力効果 : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
- GePN接合の歪効果(角度強存性) : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
- Geライフタイムの一軸性応力効果 : pn接合の応力効果シンポジウム
- 6a-F-7 p-n接合の歪効果
- 6a-F-6 Si pn接合のAnisotropic Stress Effects
- Si pn JunctionのAnisotropic Stress効果 : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)
- Si Grain Boundaryの伝導型 : 半導体
- 8a-A-6 TMVの沈降ポテンシャルの測定
- 7p-L-4 n型GeのTwist Grain Boundary
- 7a-L-1 Ge-Si Heterojunction (I)
- 14a-A-4 GeのGrain Boundary
- Ni doped Siの電気的性質(III) : 半導体
- 4p-L-5 Siの高温熱処理
- 4p-L-3 Ni doped Siの電気的性質 (II)
- 10a-M-1 Si中の酸素
- Si-SiO_2境界の性貭 IV : 半導体 : 結晶,表面