中野 真冶 | 松下電器産業(株)半導体社事業本部品質技術グループ

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概要

• 同名の論文著者
• 松下電器産業(株)半導体社事業本部品質技術グループの論文著者

松下電器産業(株)半導体社事業本部品質技術グループ | 論文

• p^+ポリシリコンゲートpMOSFETのHC劣化検討
• +BTストレスによるp^+ポリシリコンゲートpMOSFETの特性変動検討
• ストレスマイグレーションによるスタックドWバイア部のAlボイド成長
• 半導体デバイスの信頼性基礎講座(4) : デバイス劣化の物理と化学(信頼性基礎講座)
• Cu配線のエレクトロマイグレーション現象

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