鈴木 三恵子 | Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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概要
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部 | 論文
- 垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- SoC混載に適した垂直磁化磁壁移動型MRAM
- MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発(メモリ技術)
- 垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)