角谷 正友 | 静岡大学工学部:科学技術振興機構
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概要
静岡大学工学部:科学技術振興機構 | 論文
- MOCVD法GaN成長におけるバッファ層アニールの影響 : 気相成長IV
- MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
- InGaNバッファ層を用いたGaAs(100)基板上InGaN成長
- 極性構造から見たGaN薄膜成長におけるサファイア基板上低温バッファ層の機能(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
- MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)