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町田 英明 | トリケミカル研究所
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トリケミカル研究所 | 論文
HF(NEt_2)_4を原料ガスとして用いたHfO_2薄膜の堆積
II-VI族化合物半導体フォトニックドットアレイの作製及び共振器特性の光学評価
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