仲野 逸人 | 富士電機システムズ(株)
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概要
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- 次世代1200V FZ-Diodeの開発(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- Micro-P 構造適用による600V IGBTの高性能化
- dI/dt制御に着目したIGBTのターンオフ解析