大月 正人 | 富士電機デバイステクノロジー
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概要
関連著者
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大月 正人
富士電機デバイステクノロジー
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小野沢 勇一
富士電機
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小野澤 勇一
富士電機デバイステクノロジー
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関 康和
富士電機
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桐沢 光明
富士電機
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大月 正人
富士日立パワーセミコンダクタ
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関 康和
富士電機システムズ(株)
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金丸 浩
富士電機総合研究所
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仲野 逸人
富士電機デバイステクノロジー
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仲野 逸人
富士電機システムズ(株)
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小野澤 勇一
富士電機システムズ(株)
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井川 修
富士電機デバイステクノロジー
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池田 良成
富士電機総合研究所
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吉原 克彦
富士電機総合研究所
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西浦 彰
(株)富士電機総合研究所
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関 康和
富士電機株式会社
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小野澤 勇一
富士日立パワーセミコンダクタ
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関 康和
富士日立パワーセミコンダクタ
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内藤 達也
(株)富士電機総合研究所
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根本 道生
(株)富士電機総合研究所
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大月 正人
富士電機株式会社
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桐沢 光明
富士電機株式会社
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小野澤 勇一
富士電機システムズ(株)
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小野澤 勇一
富士電機システムズ
著作論文
- リードフレーム構造を備えた薄ウェハIGBTの特性改善
- 1200V系トレンチゲート型フィールドストップIGBTの短絡特性の解析
- 次世代1200VトレンチFS-IGBTの開発
- 外部キャパシタンスによるIGBTのターンオン特性改善
- 微細低注入構造ダイオードの電気的特性
- dI/dt制御に着目したIGBTのターンオフ解析
- UシリーズIGBTモジュール(1,200V) (パワー半導体特集)